长鑫贮存19nmDDR4内存将于下一年上市LPDDR4X正在路上

12月3日音讯 依据AnandTech的报导，长鑫存储科技有限公司渐渐的开始运用19纳米制作技能出产DDR4内存。现在，该公司现已拟定了至少两个10纳米级制作工艺的路线图，并方案在未来出产一切类型的DRAM。不仅如此，长鑫存储还方案再建两个晶圆厂来进步产值。

据报导，现在，长鑫存储正运用其10G1工艺技能(即19nm工艺)来制作4GB和8GB的DDR4内存芯片，方针是在2020年第一季度上市。长鑫存储还将运用相同的技能将在2020年下半年制作LPDDR4X内存。该公司的技能路线图包含17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。

依据之前的报导，长鑫存储诞生于2016年，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的研制、出产和出售，现在已建成第一座12英寸晶圆厂。