网易科技讯4月13日音讯,今日,长江存储科技有限责任公司宣告其128层QLC 3D NAND 闪存(类型: X2-6070)研制成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上经过验证。
据了解,作为首款128层QLC标准的3D NAND闪存,长江存储X2-6070是业界已知类型产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。
此次一起发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)标准闪存芯片(类型:X2-9060),以满意不同使用场景的需求。
网易科技讯4月13日音讯,今日,长江存储科技有限责任公司宣告其128层QLC 3D NAND 闪存(类型: X2-6070)研制成功,并已在多家控...
网易科技讯4月13日音讯,今日,长江存储科技有限责任公司宣告其128层QLC 3D NAND 闪存(类型: X2-6070)研制成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上经过验证。
据了解,作为首款128层QLC标准的3D NAND闪存,长江存储X2-6070是业界已知类型产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。
此次一起发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)标准闪存芯片(类型:X2-9060),以满意不同使用场景的需求。